Walton Electronics Co., Ltd.

Διπολικές κρυσταλλολυχνίες 18.8dB κρυσταλλολυχνιών RF ASI MRF9045LR1

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: ISO9001:2015standard
Αριθμό μοντέλου: MRF9045LR1
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 10pcs
Τιμή: 9.43-9.88SD/PCS
Συσκευασία λεπτομέρειες: Πρότυπα
Χρόνος παράδοσης: 2-3 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: L/C, Western Union, palpay
Δυνατότητα προσφοράς: 1000PCS/Months
  • Λεπτομερής ενημέρωση
  • Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομερής ενημέρωση

Όνομα προϊόντων: MRF9045LR1 Κατηγορία προϊόντων: Διπολικές κρυσταλλολυχνίες RF
Τεχνολογία: Si Τύπος προϊόντων: Διπολικές κρυσταλλολυχνίες RF
Κέρδος: 18.8dB Τοποθετώντας ύφος: SMD/SMT
Υψηλό φως:

MRF9045LR1 διπολικές κρυσταλλολυχνίες RF

,

Διπολικές κρυσταλλολυχνίες 18.8dB RF

,

ASI MRF9045LR1

Περιγραφή προϊόντων

MRF9045LR1TRANSISTORS διπολικό Si κρυσταλλολυχνιών RF αρχικό στο απόθεμα

 

Το ASI MRF9045LR1 είναι μια υψηλή τάση, χρυσός-,

πλευρικά διασκορπισμένος ημιαγωγός μεταλλικών οξειδίων. Ιδανικό για σημερινό

 Εφαρμογές ενισχυτών δύναμης RF.

 

Διπολικές κρυσταλλολυχνίες 18.8dB κρυσταλλολυχνιών RF ASI MRF9045LR1 0

 

MOSFET RF κρυσταλλολυχνίες
RoHS: Λεπτομέρειες
N-Channel
Si
4.25 Α
65 Β
945 MHZ
18,8 DB
60 W
SMD/SMT
Νι-360
Δίσκος
Διαμόρφωση: Ενιαίος
Μπροστινό Transconductance - λ.: 3 S
Pd - διασκεδασμός δύναμης: 117 W
Τύπος προϊόντων: MOSFET RF κρυσταλλολυχνίες
Υποκατηγορία: MOSFETs
Τύπος: MOSFET δύναμης RF
Vgs - τάση πύλη-πηγής: 15 Β
Θόριο Vgs - τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής: 4.8 Β
Βάρος μονάδων: 0,032480 oz
Χαρακτηριστικά δύο
Απόδοση τόνου σε 945 MHZ, 28 βολτ
Δύναμη παραγωγής — 45 Watt PEP
Κέρδος δύναμης — 18,8 DB
Αποδοτικότητα — 42%
IMD —
dBc 32
Ενσωματωμένη προστασία ESD
Σχεδιασμένος για τη μέγιστη λειότητα φάσης κέρδους και εισαγωγής
Ικανός στις διαχειριζόμενου 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHZ, 45 Watt CW
Δύναμη παραγωγής
Άριστη θερμική σταθερότητα
Χαρακτηρισμένος με τη σειρά ισοδύναμος μεγάλος
Παράμετροι σύνθετης αντίστασης σημάτων
Στην ταινία και το εξέλικτρο. R1 επίθημα = 500 μονάδες ανά 32 χιλ., εξέλικτρο 13 ίντσας.
Χαμηλό πάχος χρυσής επένδυσης στους μολύβδους. Το επίθημα Λ δείχνει 40
μ ′ ′
Nomin
Χαρακτηριστικά δύο
Απόδοση τόνου σε 945 MHZ, 28 βολτ
Δύναμη παραγωγής — 45 Watt PEP
Κέρδος δύναμης — 18,8 DB
Αποδοτικότητα — 42%
IMD —
dBc 32
Ενσωματωμένη προστασία ESD
Σχεδιασμένος για τη μέγιστη λειότητα φάσης κέρδους και εισαγωγής
Ικανός στις διαχειριζόμενου 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHZ, 45 Watt CW
Δύναμη παραγωγής
Άριστη θερμική σταθερότητα
Χαρακτηρισμένος με τη σειρά ισοδύναμος μεγάλος
Παράμετροι σύνθετης αντίστασης σημάτων
Στην ταινία και το εξέλικτρο. R1 επίθημα = 500 μονάδες ανά 32 χιλ., εξέλικτρο 13 ίντσας.
Χαμηλό πάχος χρυσής επένδυσης στους μολύβδους. Το επίθημα Λ δείχνει 40
μ ′ ′
Nomin
Χαρακτηριστικά δύο
Απόδοση τόνου σε 945 MHZ, 28 βολτ
Δύναμη παραγωγής — 45 Watt PEP
Κέρδος δύναμης — 18,8 DB
Αποδοτικότητα — 42%
IMD —
dBc 32
Ενσωματωμένη προστασία ESD
Σχεδιασμένος για τη μέγιστη λειότητα φάσης κέρδους και εισαγωγής
Ικανός στις διαχειριζόμενου 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHZ, 45 Watt CW
Δύναμη παραγωγής
Άριστη θερμική σταθερότητα
Χαρακτηρισμένος με τη σειρά ισοδύναμος μεγάλος
Παράμετροι σύνθετης αντίστασης σημάτων
Στην ταινία και το εξέλικτρο. R1 επίθημα = 500 μονάδες ανά 32 χιλ., εξέλικτρο 13 ίντσας.
Χαμηλό πάχος χρυσής επένδυσης στους μολύβδους. Το επίθημα Λ δείχνει 40
μ ′ ′
Nomin
Χαρακτηριστικά δύο
Απόδοση τόνου σε 945 MHZ, 28 βολτ
Δύναμη παραγωγής — 45 Watt PEP
Κέρδος δύναμης — 18,8 DB
Αποδοτικότητα — 42%
IMD —
dBc 32
Ενσωματωμένη προστασία ESD
Σχεδιασμένος για τη μέγιστη λειότητα φάσης κέρδους και εισαγωγής
Ικανός στις διαχειριζόμενου 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHZ, 45 Watt CW
Δύναμη παραγωγής
Άριστη θερμική σταθερότητα
Χαρακτηρισμένος με τη σειρά ισοδύναμος μεγάλος
Παράμετροι σύνθετης αντίστασης σημάτων
Στην ταινία και το εξέλικτρο. R1 επίθημα = 500 μονάδες ανά 32 χιλ., εξέλικτρο 13 ίντσας.
Χαμηλό πάχος χρυσής επένδυσης στους μολύβδους. Το επίθημα Λ δείχνει 40
μ ′ ′
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
1
Στοιχεία συσκευών RF
Ημιαγωγός Freescale
Κρυσταλλολυχνίες επίδρασης τομέων δύναμης RF
Ν
Αύξηση καναλιών
Πλευρικά MOSFETs τρόπου
Σχεδιασμένος
για τις ευρυζωνικές εμπορικές και βιομηχανικές εφαρμογές με το frequen-
cies μέχρι 1000 MHZ. Το υψηλό GA
και ευρυζωνική απόδοση αυτοί
οι συσκευές τους καθιστούν ιδανικούς για μεγάλο
σήμα, κοινό
ενισχυτής πηγής applica-
tions στον εξοπλισμό σταθμών βάσης 28 βολτ.
Χαρακτηριστικά δύο
Απόδοση τόνου σε 945 MHZ, 28 βολτ
Δύναμη παραγωγής — 45 Watt PEP
Κέρδος δύναμης — 18,8 DB
Αποδοτικότητα — 42%
IMD —
dBc 32
Ενσωματωμένη προστασία ESD
Σχεδιασμένος για τη μέγιστη λειότητα φάσης κέρδους και εισαγωγής
Ικανός στις διαχειριζόμενου 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHZ, 45 Watt CW
Δύναμη παραγωγής
Άριστη θερμική σταθερότητα
Χαρακτηρισμένος με τη σειρά ισοδύναμος μεγάλος
Παράμετροι σύνθετης αντίστασης σημάτων
Στην ταινία και το εξέλικτρο. R1 επίθημα = 500 μονάδες ανά 32 χιλ., εξέλικτρο 13 ίντσας.
Χαμηλό πάχος χρυσής επένδυσης στους μολύβδους. Το επίθημα Λ δείχνει 40
μ ′ ′
Αριθ.

Ελάτε σε επαφή μαζί μας

Εισάγετε το μήνυμά σας

Μπορεί να είσαι σε αυτά