Walton Electronics Co., Ltd.
Ζητήστε ένα απόσπασμα
Greek
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιώνMOSFET FCB36N60NTM SMD SMT κανάλι 600V τσιπ Ν ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V

MOSFET FCB36N60NTM SMD SMT κανάλι 600V τσιπ Ν ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: ISO9001:2015standard
Αριθμό μοντέλου: FCB36N60NTM
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 10pcs
Τιμή: 3-5.00USD/pc
Συσκευασία λεπτομέρειες: Σωλήνας, εξέλικτρο, δίσκος
Χρόνος παράδοσης: 2-3 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union, PayPay
Δυνατότητα προσφοράς: 1000PCS/Months
Επικοινωνήστε
  • Λεπτομερής ενημέρωση
  • Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομερής ενημέρωση
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών: Κανάλι Ν Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής: 600V RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής: 90 mOhms
Pd - διασκεδασμός δύναμης: 312 W Διαμόρφωση: Ενιαίος
Υψηλό φως:

FCB36N60NTM τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών

,

FCB36N60NTM MOSFET κρυσταλλολυχνία

,

MOSFET κανάλι 600V κρυσταλλολυχνιών Ν

Περιγραφή προϊόντων

FCB36N60NTM MOSFET ιδιαίτεροι ημιαγωγοί κρυσταλλολυχνιών αρχικοί

 

 

Ιδιότητες προϊόντων Αξία ιδιοτήτων
Κατηγορία προϊόντων: MOSFET
Τεχνολογία: Si
Τοποθετώντας ύφος: SMD/SMT
Συσκευασία/περίπτωση: Sc-70-3
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών: N-Channel
Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής: 600 Β
Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών: 36 Α
RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής: 90 mOhms
Vgs - τάση πύλη-πηγής: - 30 Β, + 30 Β
Θόριο Vgs - τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής: 4 Β
Qg - δαπάνη πυλών: nC 112
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία: - 55 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία: + 150 Γ
Pd - διασκεδασμός δύναμης: 312 W
Τρόπος καναλιών: Αύξηση
Συσκευασία: Εξέλικτρο
Συσκευασία: Ταινία περικοπών
Συσκευασία: MouseReel
Διαμόρφωση: Ενιαίος
Χρόνος πτώσης: 4 NS
Μπροστινό Transconductance - λ.: 41 S
Ύψος: 4,83 χιλ.
Μήκος: 10,67 χιλ.
Τύπος προϊόντων: MOSFET
Χρόνος ανόδου: 22 NS
Σειρά: FCB36N60N
Ποσότητα πακέτων εργοστασίων: 800
Υποκατηγορία: MOSFETs
Τύπος κρυσταλλολυχνιών: 1 N-Channel
Χαρακτηριστικός χρόνος καθυστέρησης διακοπών: 94 NS
Χαρακτηριστικός διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης: 23 NS
Πλάτος: 9,65 χιλ.
Βάρος μονάδων: 4 γ

 

MOSFET FCB36N60NTM SMD SMT κανάλι 600V τσιπ Ν ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών 0

ετικέτα:

Ιδιαίτερος ημιαγωγός 625mW BJT

2N3439 τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών

MPS6560 διπολικές κρυσταλλολυχνίες

Ελάτε σε επαφή μαζί μας

Εισάγετε το μήνυμά σας

Μπορεί να είσαι σε αυτά