Τσιπ μνήμης 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V SRAM 2Mb EMMC

Περιγραφή προϊόντων

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

• Χρόνος μεγάλης πρόσβασης: 8, 10 NS

• Λειτουργούν ρεύμα: 50mA (τύπος.)

• Εφεδρικό ρεύμα: 700µA (τύπος.)

• Πολλαπλάσια κεντρική δύναμη και αλεσμένες καρφίτσες για τη μεγαλύτερη ασυλία θορύβου

• Εύκολη επέκταση μνήμης με τις επιλογές CE και OE

• Το CE δύναμη-κατεβάζει

• Συμβατά εισαγωγές και αποτελέσματα TTL

• Ενιαία παροχή ηλεκτρικού ρεύματος 3.3V

• Συσκευασίες διαθέσιμες: – καρφίτσα 36 400 mil SOJ – 44 καρφίτσα TSOP (τύπος ΙΙ)

• Αμόλυβδος διαθέσιμος

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το ISSI IS61LV2568L είναι πολύ ταχύτητα, μικρή δύναμη, λέξη 262.144 από το οκτάμπιτο στατικό RAM CMOS. Το IS61LV2568L κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας την υψηλής απόδοσης τεχνολογία CMOS ISSI.

Αυτή η ιδιαίτερα αξιόπιστη διαδικασία που συνδέεται με τις καινοτόμες τεχνικές σχεδίου κυκλωμάτων, παράγει την υψηλότερη απόδοση και τις χαμηλής ισχύος συσκευές κατανάλωσης. Όταν το CE είναι ΥΨΗΛΌ (ξεδιαλεγμένος), η συσκευή υποθέτει έναν εφεδρικό τρόπο στον οποίο ο διασκεδασμός δύναμης μπορεί να μειωθεί κάτω σε 36mW (μέγιστο) με τα επίπεδα εισαγωγής CMOS.

Το IS61LV2568L λειτουργεί από μια ενιαία παροχή ηλεκτρικού ρεύματος 3.3V και όλες οι εισαγωγές είναι TTL-συμβατές. Το IS61LV2568L είναι διαθέσιμο σε 36 καρφώνει 400 mil SOJ και 44 συσκευασίες καρφιτσών TSOP (τύπος ΙΙ).