DS1250Y-70IND+ παράλληλος αποθήκευσης στοιχείων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μνήμης NVRAM 512kx8

Περιγραφή προϊόντων

DS1250Y-70IND+ παράλληλος αρχικός αποθήκευσης στοιχείων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μνήμης NVRAM

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
10 ελάχιστης έτη διατήρησης στοιχείων στο theabsence της εξωτερικής δύναμης
Το στοιχείο προστατεύεται αυτόματα κατά τη διάρκεια της απώλειας δύναμης
Αντικαθιστά 512k Χ πτητικό στατικό RAM 8, EEPROM ή τη αστραπιαία σκέψη
Απεριόριστος γράψτε τους κύκλους
Χαμηλής ισχύος CMOS
Διαβάστε και γράψτε τους χρόνους πρόσβασης 70ns
Η πηγή ενέργειας λίθιου είναι ηλεκτρικά αποσυνδεμένη για να διατηρήσει τη φρεσκάδα έως ότου εφαρμόζεται για πρώτη φορά η δύναμη
Πλήρες ±10% VCC λειτουργούσα σειρά (DS1250Y)
Προαιρετικό ±5% VCC λειτουργούσα σειρά (DS1250AB)
Προαιρετική βιομηχανική σειρά θερμοκρασίας -40°C σε +85°C, οριζόμενη το IND
Τυποποιημένη συσκευασία ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ 32 καρφιτσών JEDEC
Συσκευασία ενότητας PowerCap (PCM)
- Άμεσα επιφάνεια-mountable ενότητα
- Αναπληρώσιμο snap-on PowerCap παρέχει την εφεδρική μπαταρία λίθιου
- Τυποποιημένος pinout για όλα τα αμετάβλητα προϊόντα SRAM
- Το χαρακτηριστικό γνώρισμα αποσυνδέσεων στο PCM επιτρέπει την εύκολη αφαίρεση χρησιμοποιώντας ένα κανονικό κατσαβίδι