Ένα mt61k256m32je-14-ολοκληρωμένο κύκλωμα GDDR6 8G 256MX32 ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης DRAM 8gb EMMC

Περιγραφή προϊόντων

MT61K256M32JE-14: Μια αρχική αποθήκευση στοιχείων μνήμης DRAM GDDR6 8G 256MX32 FBGA

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• VDD = VDDQ = 1.35V ±3%, 1.25V ±3%, και 1.20V – 2%/+3%

• VPP = 1.8V – 3%/+6%

• Ποσοστό στοιχείων: 12 Gb/s, 14 Gb/s, 16 Gb/s

• 2 χωριστά ανεξάρτητα κανάλια (x16)

• x16/x8 και 2 κανάλι/ψευδο διαμορφώσεις τρόπου καναλιών (PC) που τίθεται στην αναστοιχειοθέτηση

• Ενιαίες τελειωμένες διεπαφές ανά κανάλι για τη διεύθυνση εντολής (ασβέστιο) και τα στοιχεία

• Διαφορική εισαγωγή CK_t/CK_c ρολογιών για το ασβέστιο ανά 2 κανάλια

• Μια διαφορική εισαγωγή WCK_t/WCK_c ρολογιών ανά κανάλι για τα στοιχεία (DQ, DBI_n, EDC)

• Διπλές εντολή/διεύθυνση ποσοστού στοιχείων (ΟΔΓ) (CK)

• Ποσοστό στοιχείων τετραγώνων (QDR) και διπλά στοιχεία ποσοστού στοιχείων (ΟΔΓ) (WCK), ανάλογα με τη λειτουργούσα συχνότητα

• η αρχιτεκτονική 16n prefetch με 256 μπιτ ανά σειρά διάβασε ή γράφει την πρόσβαση

• 16 εσωτερικές τράπεζες

• 4 ομάδες τραπεζών για το tCCDL = 3tCK και 4tCK

• Προγραμματίσημη ΔΙΑΒΑΣΜΕΝΗ λανθάνουσα κατάσταση

• Προγραμματίσημος ΓΡΑΨΤΕ τη λανθάνουσα κατάσταση

• Γράψτε τη λειτουργία μασκών στοιχείων μέσω του λεωφορείου ασβεστίου με την ενιαία και διπλή κοκκοποίηση μασκών ψηφιολέξεων

• Αντιστροφή λεωφορείων στοιχείων (DBI) και αντιστροφή λεωφορείων ασβεστίου (CABI)

• Εισόδου-εξόδου PLL

• Λεωφορείο ασβεστίου που εκπαιδεύει: Εισαγμένος ασβέστιο έλεγχος μέσω των σημάτων DQ/DBI_n/EDC

• WCK2CK κατάρτιση ρολογιών με τις πληροφορίες φάσης μέσω των σημάτων EDC

• Τα στοιχεία διαβάζουν και γράφουν την κατάρτιση μέσω διαβασμένου FIFO (βάθος = 6)

• Ανάγνωσης-γραφής ακεραιότητα μετάδοσης στοιχείων που εξασφαλίζεται από τον κυκλικό έλεγχο πλεονασμού

• Προγραμματίσημη ΔΙΑΒΑΣΜΈΝΗ κέντρο ανίχνευσης και ελέγχου λανθάνουσα κατάσταση

• Το προγραμματίσημο κέντρο ανίχνευσης και ελέγχου ΓΡΆΦΕΙ τη λανθάνουσα κατάσταση

• Προγραμματίσημο σχέδιο λαβής EDC για CDR

• Τρόπος RDQS στις καρφίτσες EDC